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打捆电高2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
非水2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。通过原位近常压光电子能谱等手段系统研究多层h-BN形核生长过程,价催进一步提出多层h-BN生长的溶解-扩散-外延新机制,价催该方法对于可控制备二元体系二维晶体薄膜具有一定的开拓意义。
(e)1T磁场和300K温度下,需求graphene纵向电阻和横向电阻随背栅电压变化,插图为典型器件的OM图像。(b)SiO2(300nm)/Si衬底上多层h-BN的OM图像,川售电市场生插图为单一微孔上多层h-BN的AFM图像。
然而,元千8月多年来大面积高质量多层h-BN薄膜制备技术一直未能取得突破。近年来,打捆电高基于CVD法在催化金属或合金衬底表面制备大面积单层h-BN单晶取得飞速发展。
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